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Si7898DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.15
1200
0.12
0.09
V GS = 6 V
900
C iss
600
0.06
V GS = 10 V
300
0.03
0.00
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
0
30
60
90
120
150
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
3.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
16
V DS = 75 V
I D = 3.5 A
2.5
V GS = 10 V
I D = 3.5 A
2.0
12
1.5
8
1.0
4
0
0.5
0 .0
0
6
12
18
24
30
- 50
- 25
0
25
50
7 5
100
125
150
50
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.25
0.20
0.15
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 3.5 A
0.10
T J = 25 °C
0.05
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71873
S09-0227-Rev. D, 09-Feb-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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